Flash Nand Samsung Un32d5500 Un40d5500
Os dois maiores fabricantes mundiais de chips de memória flash NAND se comprometeram a desenvolver memória flash NAND DDR (Double Data Rate) com uma interface de 400 megabits por segundo, que é mais rápido que os 133Mbps em uma especificação anterior para a tecnologia e dez vezes mais rápido que a interface de 40Mbps encontrada nos chips flash NAND tradicionais.
A tecnologia, chamada DDR, também é rival do ONFI (Open NAND Flash Interface) apoiado pela Intel, Micron Technology um nd SanDisk. As duas tecnologias são voltadas para produtos de alto desempenho, como SSDs, que os fornecedores de memórias flash NAND esperam substituir os discos rígidos (HDDs). O ONFI
pode oferecer velocidades de 166Mbps e 200Mbps, de acordo com informações do site da ONFI. "Ambas as implementações têm como alvo níveis de desempenho similares", disse Gregory Wong, CEO da empresa de pesquisa Forward Insights. "O ONFI tem uma vantagem porque foi estabelecido anteriormente, mas o modo DDR é um pouco mais compatível com a interface assíncrona padrão."
Ele disse que a taxa de adoção das duas tecnologias será influenciada pela oferta, e já que a Samsung e a Toshiba fornecem quase 70% do mercado de memória flash NAND, eles podem alavancar sua liderança para aumentar a adoção de DDR no modo alternado.
Jim Handy, analista da Objective Analysis, disse que interfaces mais rápidas para chips NAND são importantes uso crescente para processamento de dados, e não apenas música, fotos, vídeos e drives USB. O anúncio da Samsung mostra que as duas empresas estão lidando com problemas de compatibilidade no modo DDR, acrescentou.
Em um comunicado à imprensa, as empresas disseram que esperam a adoção contínua de smartphones, tablet PCs e SSDs para impulsionar a demanda por maior gama de chips NAND de alto desempenho, e que as atualizações contínuas na velocidade levarão à criação de novos produtos baseados em memória flash NAND.
A Samsung apresentou no mês passado um dos primeiros SSDs que usa flash DDR NAND de modo alternado memória, um dispositivo de 512 GB com velocidade máxima de leitura de 250 megabytes por segundo (MBps) e velocidade de gravação seqüencial de 220 MBps.
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