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Elpida vê preços de DRAM subindo no próximo ano, elevando gastos

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Anonim

Os fabricantes de DRAM vêm produzindo chips com prejuízo desde o segundo semestre de 2007, depois que o excesso de investimento em novas fábricas causou um excesso de chips e derrubou os preços. O preço das principais chips DRAM chegou ao final do ano passado em torno de US $ 0,50, muito abaixo do custo de fabricação de cada chip. Os baixos preços fizeram com que a fabricante alemã de DRAM Qimonda declarasse falência no início deste ano e forçou outros a abandonar fábricas e demitir funcionários. Desde então, a recessão global diminuiu e a demanda pelo produto principal DRAM é usada, PCs, se recuperou fortemente. Os preços da DRAM tradicional agora oscilam em torno de US $ 2,50 por chip, muito melhor do que antes. O preço ainda está próximo do custo de produção, fazendo com que os fabricantes de chips permaneçam cautelosos com os novos gastos da fábrica.

Menos novas fábricas significam que a oferta de DRAM pode não ser suficiente para atender a demanda, disse Yukio Sakamoto, CEO da DRAM. Elpida, em uma coletiva de imprensa em Taipei. Isso elevaria os preços e tornaria a fabricação de DRAM mais lucrativa: "No ano que vem, a indústria de DRAM será muito melhor", disse Sakamoto.

Mas boas notícias para os fabricantes de DRAM se traduzem em más notícias para os compradores de PCs. Os preços baixos de DRAM foram um benefício para os compradores de PCs nos últimos anos, e o aumento acentuado dos preços de memória pode aumentar o custo dos PCs ou afetar seu desempenho. Os fabricantes de PCs geralmente mantêm os preços dos produtos o mais baixo possível com componentes de baixo preço. Quando os preços de DRAM são baixos, eles podem adicionar mais fichas ou chips tecnicamente melhores sem aumentar o preço do PC. Mas quando os preços de DRAM aumentam, os fornecedores de PC geralmente reduzem a quantidade de DRAM dentro para compensar o aumento de preço. Se os preços de DRAM aumentarem muito rapidamente, os fornecedores de PC terão que encontrar outras maneiras de reduzir os custos do sistema ou repassar o aumento de preço para os consumidores.

Os preços de DRAM podem subir ainda mais em breve. Os preços de DRAM do contrato na primeira metade de dezembro foram estáveis ​​para quase todas as densidades e tipos comuns de DRAM, incluindo DDR2 e DDR3 (double data rate, terceira geração), de acordo com a DRAMeXchange Technology, uma câmara de compensação online para os chips. A empresa previu uma queda de até 10 por cento no período devido a uma alta acentuada nos preços em novembro e porque a produção de PCs normalmente enfraquece em dezembro, já que a maioria das lojas já está estocada antes dos feriados.

Neste ano, a fraca temporada pode chegar tarde porque as remessas de PCs continuam fortes, disse DRAMeXchange em um comunicado enviado por e-mail na terça-feira. As remessas de PCs em dezembro podem coincidir com novembro, disse a empresa, resultando em um forte suporte para os preços de DRAM. Os preços podem enfraquecer em janeiro deste ano, em vez de dezembro.

A Elpida planeja pegar o mercado de DRAM mais forte no ano que vem, investindo mais em novas linhas de produção. A empresa gastará um total de US $ 1 bilhão em novas linhas de produção, disse Sakamoto. Cerca de US $ 600 milhões serão gastos nas fábricas da Elpida no Japão e outros US $ 400 milhões serão gastos em novas máquinas em sua subsidiária taiwanesa, a Rexchip Electronics. Elpida já havia anunciado US $ 600 milhões em gastos de capital.

A empresa também transferirá tecnologia de produção de chips de até 40 nanômetros e até 35 nm para seu novo parceiro taiwanês, ProMOS Technologies, para que a empresa possa produzir DDR3 em nome da Elpida. As tecnologias de chip geralmente são descritas pelo tamanho em nanômetros, ou bilionésimos de um metro, do menor recurso que pode ser fabricado em um único chip. A redução do tamanho dos recursos da DRAM normalmente aumenta a velocidade do chip e reduz o consumo de energia, além de reduzir os custos de produção, já que mais chips podem ser feitos a partir de cada wafer de silício.